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TASLimage固體徑跡蝕刻測(cè)量系統(tǒng)

TASLimage固體徑跡蝕刻測(cè)量系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:

英國(guó)TASL TASLimage固體徑跡蝕刻測(cè)量系統(tǒng)由愛(ài)儀器儀表網(wǎng)代理,本產(chǎn)品是基于核徑跡分析技術(shù)發(fā)展的高性能全自動(dòng)圖像測(cè)量及分析系統(tǒng),用于測(cè)量及分析各類塑料徑跡探測(cè)器?,F(xiàn)在熱賣(mài)中!

TASLimage固體徑跡蝕刻測(cè)量系統(tǒng)簡(jiǎn)介:
TASLimage是基于核徑跡分析技術(shù)發(fā)展的高性能全自動(dòng)圖像測(cè)量及分析系統(tǒng),用于測(cè)量及分析各類塑料徑跡探測(cè)器,例如 TASTRAK(TASL 公司生產(chǎn))、CR39、PN3。
TASLimage系統(tǒng)的顯微鏡模塊采用了高質(zhì)量 Nikon 光學(xué)器件和超快 3D 機(jī)動(dòng)控制系統(tǒng),保證了系統(tǒng)的高測(cè)量效率、高精度及低本底等優(yōu)異性能。
TASLimage適用于中子測(cè)量、氡濃度監(jiān)測(cè)、聚變研究、α 粒子放射自顯影、鈾礦勘探、宇宙射線以及放射領(lǐng)域教學(xué)。
TASTRAK核徑跡探測(cè)器
TASLimage固體徑跡蝕刻測(cè)量系統(tǒng)特點(diǎn):
全自動(dòng)聚焦,全自動(dòng)掃描點(diǎn)碼和蝕刻徑跡;
全自動(dòng)測(cè)讀批量探測(cè)器;
快速測(cè)讀,測(cè)讀時(shí)間為 30~60 秒(與參數(shù)設(shè)置相關(guān));
自動(dòng)修正探測(cè)器響應(yīng)衰退,保證探測(cè)器可用于 12 個(gè)月的長(zhǎng)期監(jiān)測(cè);
高度精密的圖像分析技術(shù),可區(qū)分徑跡與本底特征;
全自動(dòng)本底評(píng)估(對(duì)每個(gè)探測(cè)器);
掃描數(shù)據(jù)自動(dòng)轉(zhuǎn)換為中子劑量 / 氡濃度;
數(shù)據(jù)可導(dǎo)出 excel 文件。

TASLimage軟件界面
TASLimage軟件界面

TASTRAK核徑跡探測(cè)器
TASTRAK核徑跡探測(cè)器

TASLimage徑跡蝕刻測(cè)量系統(tǒng)技術(shù)參數(shù):

探測(cè)器類型PADC(聚丙烯二甘醇碳酸酯)
兼容品牌TASTRAK,CR39,PN3 等,不限尺寸
TASTRAK 規(guī)格常規(guī):0.5mm,0.75mm,1.0mm,1.5mm,
可定制:0.1~0.5mm,> 1.5mm
本底徑跡< 20tracks/cm2
蝕刻數(shù)量150 個(gè)或 294 個(gè),不銹鋼蝕刻架
蝕刻條件 (TASTRAK)氡:98℃ , 約 1 小時(shí);或 75℃ , 約 6 小時(shí);
中子: 85℃ , 約 3 小時(shí)
識(shí)別徑跡密度≥ 140tracks/mm2
探測(cè)限氡:5Bq/m3 ~15MBq/m3
中子:下限< 0.25mSv
線性中子:優(yōu)于 5%, 不窄于 0.1mSv - 600 mSv;
氡: 3%-6%(200-5000 Bq/m3 )


北京康高特儀器設(shè)備有限公司是國(guó)內(nèi)專業(yè)的TASLimage固體徑跡蝕刻測(cè)量系統(tǒng)廠家,歡迎廣大顧客來(lái)電咨詢!
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